Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPU18P06P
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPU18P06P
SPU18P06P Hakkında
SPU18P06P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 18.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate voltajında 130mOhm maksimum on-state direnç (Rds On) değerine sahiptir. Gate charge 33nC ve input kapasitansi 860pF ile karakterize edilmiştir. ±20V maksimum gate-source voltaj toleransına sahip olan transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok