Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPU11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPU11N10
SPU11N10 Hakkında
SPU11N10, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 10.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) kılıfında sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 170mΩ on-direnç (RDS(on)) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Maksimum 50W güç dağıtma yeteneğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 18.3nC olup, hızlı komütasyon gerektiren DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve invertör devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | P-TO251-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok