Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPU09P06PL

MOSFET P-CH 60V 9.7A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
SPU09P06PL

SPU09P06PL Hakkında

SPU09P06PL, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajına ve 9.7A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 250mΩ maksimum on-state resistance değeri (10V gate voltajında 6.8A akımda) ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 42W güç tüketimi karakteristiğine sahiptir. Gate threshold voltajı 2V (250µA akımda) olup, ±20V maksimum gate voltajı toleransı vardır. Through-hole montajı destekleyen bu MOSFET, güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package P-TO251-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok