Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPU08P06P

MOSFET P-CH 60V 8.83A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
SPU08P06P

SPU08P06P Hakkında

SPU08P06P, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ile 8.83A sürekli dren akımına sahip bu bileşen, TO-251-3 paketinde sunulmaktadır. 300mOhm maksimum on-resistance (RDS On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 42W güç disipasyon kapasitesi sayesinde orta güç uygulamalarında kullanılabilir. Gate charge değeri 13nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve elektronik anahtar uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi, geleneksel PCB tasarımlarında kullanılmasını sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.83A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO251-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok