Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPU07N60S5

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
SPU07N60S5

SPU07N60S5 Hakkında

SPU07N60S5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 7.3A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve motor kontrolü sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde maksimum 600mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 83W maksimum güç dağılımı kapasitesi, sanayi ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun hale getirir. 35nC gate yükü ve 970pF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 970 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO251-3-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 350µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok