Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPU04N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
SPU04N60C3

SPU04N60C3BKMA1 Hakkında

SPU04N60C3BKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj ve 4.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, yüksek voltaj uygulamalarında switch görevi yapar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve elektrik yönetim uygulamalarında kullanılır. 950mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanım sağlar. Bileşen şu anda kullanımdan kaldırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950mOhm @ 2.8A, 10V
Supplier Device Package PG-TO251-3-21
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 200µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok