Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPU02N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPU02N60C3
SPU02N60C3BKMA1 Hakkında
SPU02N60C3BKMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 1.8A sürekli drain akımı ve 3Ω maksimum RDS(on) değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel konvertörler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve ±20V Vgs desteği ile esnek tasarım seçeneği sunar. Hızlı anahtarlama özelliği ve düşük kapasitans değerleri (200 pF) ile verimli devre tasarımını destekler. Ürün yeni tasarımlara önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok