Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPU01N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPU01N60C3
SPU01N60C3BKMA1 Hakkında
SPU01N60C3BKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 800mA sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri, anahtar devreleri, inverter sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 6Ohm maksimum Rds(on) değeri ile düşük kaynakça kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 11W güç yayılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Şu anda Discontinued durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 11W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-21 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok