Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPS04N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPS04N60C3
SPS04N60C3BKMA1 Hakkında
SPS04N60C3BKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 4.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, TO-251-3 paketinde sunulmaktadır. 950mΩ on-state direnci ve 10V gate drive voltajı ile endüstriyel güç uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 50W güç disipasyonuna ve 25nC gate charge'a sahip bu MOSFET, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 490 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok