Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPS03N60C3BKMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
SPS03N60C3

SPS03N60C3BKMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SPS03N60C3BKMA1, 650V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 3.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç kontrol, anahtarlama ve sürücü uygulamalarında kullanılır. 1.4Ohm maksimum Rds(On) değeri ile verimli iletim sağlar. TO-251-3 paketinde sunulan bileşen, endüstriyel dönüştürücüler, adaptörler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Stub Leads, IPak
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO251-3-11
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 135µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok