Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPS02N60C3
SPS02N60C3 Hakkında
SPS02N60C3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source voltaj, 1.8A sürekli drain akımı ve 3Ω on-state direnç özellikleriyle medium voltage uygulamalarda kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SPS02N60C3, 25W maksimum güç tüketimiyle rijit tasarım gereksinimleri olan uygulamalara uygundur. Şu anda obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok