Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPS01N60C3
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPS01N60C3
SPS01N60C3 Hakkında
SPS01N60C3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 800mA kontinü drain akımı ile tasarlanmış olup, TO-251-3 paketinde sunulmaktadır. 6Ohm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 11W maksimum güç disipasyonuna sahip bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, anahtarlama devreleri, power management ve yüksek gerilim anahtarlamalarında kullanılan bu transistör, düşük gate charge (5nC) ile hızlı anahtarlama performansı sunar. İPak paketinin kompakt yapısı sayesinde PCB alanı tasarrufu sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumda olup, stok kısıtlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 11W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok