Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPPO4N80C3
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPPO4N80C3
SPPO4N80C3 Hakkında
SPPO4N80C3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 800V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 63W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 1.3Ω (10V, 2.5A'de) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 31nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel kontrolü, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve yüksek voltaj anahtar uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok