Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP80P06PHXKSA1

MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP80P06PHXKSA1

SPP80P06PHXKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SPP80P06PHXKSA1, 60V drain-source voltaj ve 80A sürekli akım kapasitesi ile P-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 23mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 340W maksimum güç harcaması ve ±20V gate voltaj toleransı ile güç anahtarlama, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akımlu anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5033 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 64A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok