Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP80P06PBKSA1

MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP80P06PBKSA1

SPP80P06PBKSA1 Hakkında

SPP80P06PBKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket tipi ile montaj kolaylığı sağlar. 23mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli iletim özelliği sunar. 173nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücü devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışır. Maksimum 340W güç saçmaya müsaittir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5033 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 64A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 5.5mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok