Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP80N10L

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP80N10L

SPP80N10L Hakkında

SPP80N10L, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 14mOhm maksimum on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 250W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. (Not: Bu bileşen yaşaması sonlandırılmış durumdadır)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4540 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 58A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok