Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP80N06S2L
SPP80N06S2L-H5 Hakkında
SPP80N06S2L-H5, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltaj ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Motor kontrolü, AC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 300W güç yayabilir. Gate charge değeri 190nC ve threshold voltaj 2V'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6640 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok