Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP80N06S2L-11

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP80N06S2L

SPP80N06S2L-11 Hakkında

SPP80N06S2L-11, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 11mOhm (10V, 40A koşullarında) düşük On-State direnci, anahtarlama devrelerinde enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve LED sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 158W güç tüketimine dayanıklıdır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2650 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 93µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok