Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP80N06S2L-09

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP80N06S2L

SPP80N06S2L-09 Hakkında

SPP80N06S2L-09, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V Drain-Source gerilim ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel inverter devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır. 8.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 190W güç tüketimi kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3480 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 52A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 125µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok