Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP80N06S2-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP80N06S2

SPP80N06S2-05 Hakkında

SPP80N06S2-05, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 5.1mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-220-3 paket tipi ile düz montaj ve ısıl yönetim imkanı sunar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Endüstriyel sürücü devreler, güç dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta ve yüksek güç seviyeleri için uygundur. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu bileşen, standart TTL/CMOS sürücü seviyeleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok