Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP80N04S2-04

MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP80N04S2

SPP80N04S2-04 Hakkında

SPP80N04S2-04, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 170nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 300W maksimum güç dağıtabilir. Not: Bu ürün üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6980 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok