Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP35N10

MOSFET N-CH 100V 35A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP35N10

SPP35N10 Hakkında

SPP35N10, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 35A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç uygulamalarında anahtar görevi görmek üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipi ile delinmiş kart montajına uygundur. 44mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 150W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir. Güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Part Status: Obsolete.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1570 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44mOhm @ 26.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 83µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok