Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP24N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 21.7A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP24N60CFDHKSA1

SPP24N60CFDHKSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen SPP24N60CFDHKSA1, 650V drain-source voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılan N-Channel MOSFET transistörüdür. 21.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan komponentin maksimum güç dağılımı 240W'tır. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 185mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. Gate charge değeri 143nC'dir. Endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3160 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 15.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok