Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP21N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP21N50C3

SPP21N50C3XKSA1 Hakkında

SPP21N50C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 21A sürekli dren akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılan bir yarıiletken bileşenidir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), motor kontrol sistemleri ve çevirici (converter) uygulamalarında tercih edilir. 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Part Status 'Not For New Designs' olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Not For New Designs
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok