Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP21N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP21N50C3
SPP21N50C3HKSA1 Hakkında
SPP21N50C3HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 560V drain-source gerilim ve 21A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürücüler, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında yer alır. 10V gate sürücü geriliminde 190mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 208W güç dağıtabilir. Yüksek voltaj uygulamaları için özel olarak geliştirilmiş MOSFET teknolojisi kullanılmıştır. (Not: Parça halen üretimde değildir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok