Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP20N65C3XKSA1
HIGH POWER_LEGACY
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP20N65C3
SPP20N65C3XKSA1 Hakkında
SPP20N65C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek güçlü N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilim ve 20.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 190mOhm maksimum RdsOn (on-state direnci) değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-220-3 paket tipi ile standart PCB montajına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok