Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP20N60S5XKSA1
HIGH POWER_LEGACY
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP20N60S5
SPP20N60S5XKSA1 Hakkında
SPP20N60S5XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 kasa tipi ile çok yaygın endüstriyel devrelerde yer alır. Maksimum 190mOhm (10V, 13A şartlarında) drain-source direnci ve 103nC gate yükü karakteristiğiyle anahtarlama hızı ve verim açısından önemli parametreleri bulunmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrolü ve AC/DC konvertör uygulamalarında yaygın olarak uygulanır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 103 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok