Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP20N60S5

MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP20N60S5

SPP20N60S5 Hakkında

SPP20N60S5, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/20A N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paket içinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 190mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli güç denetimi sağlar. 103nC gate charge ve 3000pF input capacitance parametreleri hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Endüstriyel konvertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve ağır yük anahtarlama sistemlerinde uygulanır. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş kontrollenebilirlik sağlar. Maksimum 208W güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok