Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP20N60CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP20N60CFD
SPP20N60CFDXKSA1 Hakkında
SPP20N60CFDXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim dayanımı ve 20.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 10V gate sürüleme geriliminde 220mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 208W maksimum güç tüketimi ile belirtilmiştir. Ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok