Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP20N60CFDHKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP20N60CFDHKSA1
SPP20N60CFDHKSA1 Hakkında
SPP20N60CFDHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum sürekli drenaj akımı 20.7A (Tc=25°C) olup, RDS(on) değeri 220mΩ'dur. 650V drenaj-kaynak voltajı ve ±20V gate voltaj aralığı sayesinde yüksek voltaj uygulamalarında kullanılabilir. Gate charge'ı 124nC ve input kapasitansi 2400pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrolü ve elektrik dönüştürücü devrelerde tercih edilir. Maksimum güç yayılımı 208W'tır. Devre tasarımında RDS(on) özelliği sayesinde düşük ısı kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok