Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP20N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP20N60C3
SPP20N60C3HKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen SPP20N60C3HKSA1, 600V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. 20.7A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar olarak kullanılır. Düşük on-resistance (190mOhm @ 10V) sayesinde enerji kaybı minimize edilir. TO-220-3 paketleme ile endüstriyel güç dönüştürücüleri, şarj devreleri ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışma aralığı sunarak geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar. 208W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle orta-yüksek güç seviyeleri için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok