Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP18P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP18P06PHXKSA1
SPP18P06PHXKSA1 Hakkında
SPP18P06PHXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ile 18.7A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-3 paketlemesinde sunulan bu komponen, güç anahtarlama ve regülasyon uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürücü geriliminde 130mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Switch mode güç kaynakları, motor kontrolü ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 81.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok