Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP17N80C3XKSA1

LOW POWER_LEGACY

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP17N80C3

SPP17N80C3XKSA1 Hakkında

SPP17N80C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel power MOSFET transistördür. 800V drain-source voltajı ve 17A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 290mOhm maksimum RDS(On) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. TO-220-3 paket formatında yer alan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC konverterler, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir ve 208W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2320 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok