Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP16N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP16N50C3
SPP16N50C3XKSA1 Hakkında
SPP16N50C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 560V drain-source voltajı ve 16A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını minimalize eder. TO-220-3 paket tipi ile soğutma alanına monte edilebilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, elektrik araçlar ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate drive voltajında 3.9V kapı eşik voltajı ile hızlı açılıp kapanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-111 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok