Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP16N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP16N50C3
SPP16N50C3HKSA1 Hakkında
SPP16N50C3HKSA1, 560V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 16A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 280mΩ maksimum on-state direnci ile düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol ve boost konvertörleri gibi yüksek voltaj devrelerinde tercih edilir. 66nC gate charge ve 1600pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama karakteristiği belirtir. Ürün durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok