Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP15N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP15N65C3

SPP15N65C3HKSA1 Hakkında

SPP15N65C3HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 15A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motorlu uygulamalar, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel elektronik sistemlerde tercih edilir. 280mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji yönetimi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip, 156W güç yayılım kapasitesi ile ağır yük uygulamalarında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 9.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 675µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok