Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP15N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP15N60C3

SPP15N60C3XKSA1 Hakkında

SPP15N60C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 15A sürekli dren akımı ve 280mOhm on-state direncine sahiptir. 10V gate sürüş voltajında çalışan transistör, güç dönüştürme devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. 63nC gate charge ile hızlı anahtarlamaya uygun olup, -55°C ile +150°C arasında stabil performans sunar. 156W maksimum güç disipasyon kapasitesi sayesinde orta ve yüksek güçlü uygulamalarda tercih edilen bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 9.4A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 675µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok