Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP11N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP11N80C3
SPP11N80C3XKSA1 Hakkında
SPP11N80C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 800V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu transistör, switching güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 450mΩ maksimum RDS(on) değeri ve düşük gate charge (85nC) sayesinde verimli anahtarlama işlemini sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 7.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok