Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP11N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP11N65C3
SPP11N65C3XKSA1 Hakkında
SPP11N65C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini gerçekleştirir. TO-220-3 paketinde sunulan komponent, ±20V gate gerilimi aralığında çalışabilir ve 380mOhm maksimum Rds(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında kullanılabilen bu MOSFET, endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, enerji yönetim sistemleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 125W güç tüketimi ile termal yönetimi kolaylaştırır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok