Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP11N65C3XKSA1

SPP11N65C3 - 650V-700V COOLMOS N

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP11N65C3

SPP11N65C3XKSA1 Hakkında

SPP11N65C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V COOLMOS N-Channel MOSFET transistörüdür. 11A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve güç denetimi işlevlerinde kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 380mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile verimli enerji aktarımı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 125W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel kontrolcüler, anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri ve koruma devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 500µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok