Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP11N60S5HKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP11N60S5
SPP11N60S5HKSA1 Hakkında
SPP11N60S5HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 11A sürekli drenaj akımı ve 380mΩ maksimum Rds(on) değerleri ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate voltajı ve -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığı sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 125W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Not: Bu ürün üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1460 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok