Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP11N60CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP11N60CFD
SPP11N60CFDXKSA1 Hakkında
SPP11N60CFDXKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yer almaktadır. 440mΩ maksimum on-direnişi (Rds On) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Maksimum 125W güç harcanabilir. Gate charge karakteristiği 64nC olup, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. Cihazın üretimi sonlandırılmış olup (Obsolete), mevcut stok için değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 64 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok