Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP10N10L

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP10N10L

SPP10N10L Hakkında

SPP10N10L, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source geriliminde 10.3A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 50W güç dağıtabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 154mΩ on-state direncine sahiptir. 22nC gate yükü ve 444pF giriş kapasitesi ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışır. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük kontrolü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Atravers delik montajı ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir. (Not: Bu komponent üretimden kaldırılmış durumdadır)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 444 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 154mOhm @ 8.1A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 21µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok