Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP08P06PBKSA1

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP08P06PBKSA1

SPP08P06PBKSA1 Hakkında

SPP08P06PBKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 8.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 300mOhm maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paket tipi, doğrudan PCB'ye monte edilebilir tasarımda kullanım için uygundur. Anahtarlama devreleri, power supply üniteleri, motor denetim ve ters kutup koruması gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi, geniş sıcaklık aralığında güvenilir operasyon sağlar. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile kontrol devrelerinden doğrudan sürülebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 6.2A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok