Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP08N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP08N80C3
SPP08N80C3XKSA1 Hakkında
SPP08N80C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paket formatında sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü ve enerji yönetim sistemlerinde yer alan anahtarlama elemanı olarak görev yapabilir. 10V gate sürüş geriliminde 650mOhm maksimum RDS(on) değeri ve düşük input kapasitansı (1100pF @ 100V) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu bileşen, 104W güç dağıtım kapasitesiyle endüstriyel ve profesyonel uygulamalara uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 104W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 470µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok