Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP08N50C3
SPP08N50C3XKSA1 Hakkında
SPP08N50C3XKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 560V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7.6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate Charge değeri 32nC olup, hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında işletim sıcaklığında kullanılabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 83W maksimum güç dissipasyonu ile termal yönetim kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 560 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok