Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SPP07N60CFDHKSA1

MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
SPP07N60CFDHKSA1

SPP07N60CFDHKSA1 Hakkında

SPP07N60CFDHKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V Drain-Source geriliminde 6.6A sürekli drenaj akımı sağlamaktadır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 10V gate sürücü voltajında maksimum 700mOhm Rds(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihaz, 83W maksimum güç dağıtabilir. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel dönüştürücülerde kullanılan bu MOSFET, 47nC gate yükü ve düşük input kapasitansı ile hızlı komütasyon sağlamaktadır. Cihaz üretimi durdurulmuş olup, mevcut stoklar için kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 4.6A, 10V
Supplier Device Package PG-TO220-3-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 300µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok