Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP07N60C3
SPP07N60C3XKSA1 Hakkında
SPP07N60C3XKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 7.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, anahtarlama ve güç amplifikasyon işlevleri için uygundur. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan bu MOSFET, endüstriyel kontrolcüler, elektrik motoru sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 27nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliği sunar. Maximum 83W güç yayımı kapasitesi ile zorlu ortamlarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok