Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP07N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP07N60C3
SPP07N60C3HKSA1 Hakkında
SPP07N60C3HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V dayanımlı N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7.3A sürekli drain akımı ve 600mOhm maksimum RDS(on) değeri ile orta güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 27nC gate charge ve düşük input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar. ±20V gate voltaj toleransı ile geniş kontrol aralığına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor sürücüleri, invertör devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 83W güç dağıtımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. Not: Bu ürün üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 350µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok