Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SPP06N60C3HKSA1
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SPP06N60C3
SPP06N60C3HKSA1 Hakkında
SPP06N60C3HKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.2A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 750mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 31nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 3.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO220-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok